多年来，半导体行业的标准存储模式一直是DRAM内存+HDD机械硬盘/SSD固态硬盘，但各大巨头一直在寻找新的更好的解决方案，比如英特尔的傲腾，致力于弥合内存和硬盘之间的鸿沟。
另一个选择是MRAM(磁阻式随机访问内存).
、英特尔、IBM、三星、海力士、东芝、TDK等大公司和一些初创公司已经研究多年。现在，英特尔宣布他们的MRAM已经准备好大规模生产了！
MRAM存储技术和NAND闪存类似是非易失性的，也就是断电后不会丢失数据，而写入速度可以达到NAND闪存的数千倍，建立时间(settling
时间)可达1纳秒，优于目前DRAM存储器的理论极限，等于结合了RAM存储器和NAND闪存的优点，既可以作为存储器，也可以作为硬盘。
最重要的是，它对制造工艺要求低
此外，在传统DRAM技术升级难度越来越大的情况下，MRAM更新更容易，成品率也高得多，意味着成本可以得到更有效的控制。
英特尔即将量产的MRAM将采用很成熟的22nm FFL FinFET制造工艺，良品率居然超过了99.998！.
对于一种全新的存储技术来说，这是相当不可思议的。
至于我们为什么不需要更新14nm，可能是MRAM目前对新技术不敏感，也可能是英特尔14nm技术产能吃紧，没有多余的。
根据英特尔给出的技术规范，MRAM的每个存储单元的面积为0.0486平方微米、容量7Mb
，在0.9V电压下读取时间为4纳秒，在0.8V电压下为8纳秒，在-40下写入时间为10微秒，写入寿命不低于一百万。
这是一个漫长的一生，标准耐受温度范围-40到125，而Intel工程师强调，即便放置在200高温下数据完整性也能保持10年之久。.
然而，英特尔没有给出更详细的解释，说明MRAM何时投入大规模生产，以及将用于什么产品。
