瓢泼大雨阻挡不了湖北省重大工程建设的热潮。6月20日上午，国家记忆基地二期项目在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应永宣布项目开工。湖北省委副书记、省长王晓东讲话。
国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科学投资集团、湖北省集成电路基金共同投资，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，目前进展顺利。32层和64层存储芯片产品已实现稳定量产，全球首款128层3D闪存芯片研制成功。
王晓东代表湖北省委、省政府对项目开工表示祝贺，对国家部委和社会各界长期以来对湖北发展的关心和支持表示衷心感谢。他说，国家记忆基地二期工程的启动，是落实中央支持湖北政策的具体行动，也是湖北加大对疫后振兴重大项目支持力度的有力举措。湖北、必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”，为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。虽然受到疫情前所未有的冲击，但长期经济基本面没有改变，多年积累的综合优势没有改变，在国家和地区发展中的重要地位没有改变。项目此时开工，彰显了投资方的远见卓识和对湖北发展的坚定信心。,湖北、武汉各级各部门将全力以赴，为项目创造最好的条件，提供最好的服务，响应每一个号召，做到事事不打扰。在项目推进、要素保障、配套服务等方面当好贴心“店小二”，把项目打造成湖北高质量发展的样板工程、标杆工程，将展示湖北一流的营商环境，凝聚更强的发展期待和信心。
紫光集团董事长、长江仓储董事长赵卫国介绍项目情况。他说，国家存储基地项目一期开工建设以来，从一片不毛之地变成了世界领先的存储芯片工厂，实现了从跑向跑的技术水平飞跃。雄关的漫无边际真的像铁一样，但现在从一开始就踩过去了。要增强责任感和紧迫感，迎难而上，为集成电路产业发展和湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。
湖北省领导黄楚平、王忠林、曹广晶，武汉市市长周先旺，紫光集团联席总裁、长江仓储执行董事长刁世景出席活动。王忠林主持了毕业典礼活动。曹广晶宣读了国家有关部委的书面讲话。
